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紫外LED一般指發(fā)光中心波長在405 nm以下的LED，LED業(yè)界通常將發(fā)光波長位于355～405 nm時稱為近紫外LED，而短于280 nm時稱為深紫外LED。目前在LED的研究和生產(chǎn)中用到最多的材料GaN的禁帶寬度為3.4 eV，對應(yīng)的發(fā)光波長為365 nm，剛好處于近紫外波段范圍，因此，近紫LED中一般采用GaN作為基材。而深紫外LED通過在基材GaN中添加A l 擴大帶隙，獲得更短的發(fā)光波長。

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中科潞安劉乃鑫 | 紫外光通信用深紫外LED光源

近十年來，隨著紫外固態(tài)器件的外延生長、制備工藝以及封裝技術(shù)的快速發(fā)展，基于日盲區(qū)LED的紫外光通信光源憑借高帶寬、易于攜帶、無毒環(huán)保的優(yōu)點逐步取代了傳統(tǒng)的汞燈、氣體放電燈等光源。Micro-LED是新興的工藝技術(shù)，它可以實現(xiàn)更大更均勻的注入電流密度，有利于研究大注入狀態(tài)LED物理現(xiàn)象。特別是近幾年，UVC Micro-LED在紫外光通信、顯示等領(lǐng)域中展現(xiàn)出了廣闊的應(yīng)用前景，引起了人們的關(guān)注和研究熱情。